Wolfspeed Basis Generatioun Prozess

Am Abrëll 2022 huet d'Wolfspeed's 200mm SiC Apparat Fabrikatiounsanlag am Mohawk Valley, New York, USA, déi führend Technologie benotzt, offiziell opgemaach, wat vill hëllefe wäert d'Transformatioun vu ville Industrien vu Si-baséiert Produkter op SiC-baséiert Halbleiter ze förderen. D'Mohawk Valley Device Factory huet ugefaang SiC MOSFETs fir chinesesch Endclienten mat der éischter Partie vum Produktmodell C3M0040120K ze verschécken. Am September 2022 huet de Wolfspeed ugekënnegt datt et eng nei SiC Material Fabrikatiounsanlag (den John Palmour Silicon Carbide Manufacturing Center) am Chatham County, North Carolina, USA géif bauen, mat der Spëtzt vun der Technologie. D'Planz wäert haaptsächlech 200mm SiC Wafere fabrizéieren, déi benotzt gi fir de Wolfspeed's Mohawk Valley Apparat Fabrik ze liwweren. Déi éischt Phas vum Bau vun der Planz gëtt erwaart am Joer 2024 fäerdeg ze sinn, an d'Firma wäert och zousätzlech Kapazitéit ausbauen op Basis vun der Nofro. Dësen Investitiounsplang wäert dem Wolfspeed seng existent SiC Materialproduktiounskapazitéit ëm méi wéi 10 Mol erhéijen, d'Adoptioun vu SiC Halbleiteren an enger Rei vun Endmäert beschleunegen. Am Februar 2023 huet Wolfspeed Pläng ugekënnegt eng héich automatiséiert, opzedeelen 200mm SiC Fabrikatiounsanlag zu Saarland, Däitschland ze bauen. Dëst wäert dem Wolfspeed seng éischt Fabréck an Europa sinn fir eng wuessend Nofro fir eng breet Palette vun Uwendungen z'ënnerstëtzen, dorënner Automobil, Industrie an Energie. Wolfspeed's 200mm SiC Apparat Planz am Mohawk Valley, New York, wäert e wichtege Bestanddeel vum Wolfspeed's $6.5 Milliarde Kapazitéit Expansiounsplang ginn, zesumme mat senger SiC Material Planz an North Carolina an der geplangter 200mm SiC Fabrikatiounsanlag zu Saarland, Däitschland.