वुल्फस्पीड आधार निर्माण प्रक्रिया

अप्रैल 2022 में, अमेरिका के न्यूयॉर्क के मोहॉक वैली में वुल्फस्पीड का 200 मिमी SiC डिवाइस विनिर्माण संयंत्र, जो अग्रणी तकनीक का उपयोग करता है, आधिकारिक तौर पर खोला गया, जो Si-आधारित उत्पादों से SiC-आधारित अर्धचालकों में कई उद्योगों के परिवर्तन को बढ़ावा देने में बहुत मदद करेगा। मोहॉक वैली डिवाइस फैक्ट्री ने उत्पाद मॉडल C3M0040120K के पहले बैच के साथ, चीनी अंतिम ग्राहकों को SiC MOSFETs की बड़े पैमाने पर शिपिंग शुरू कर दी है। सितंबर 2022 में, वोल्फस्पीड ने घोषणा की कि वह अग्रणी तकनीक का उपयोग करके, उत्तरी कैरोलिना, अमेरिका के चैथम काउंटी में एक नया SiC सामग्री विनिर्माण संयंत्र (जॉन पामर सिलिकॉन कार्बाइड विनिर्माण केंद्र) का निर्माण करेगा। इस संयंत्र में मुख्य रूप से 200 मिमी SiC वेफर्स का निर्माण किया जाएगा, जिसका उपयोग वुल्फस्पीड के मोहॉक वैली डिवाइस कारखाने को आपूर्ति करने के लिए किया जाएगा। संयंत्र के निर्माण का पहला चरण 2024 में पूरा होने की उम्मीद है, और कंपनी मांग के आधार पर अतिरिक्त क्षमता का विस्तार भी करेगी। इस निवेश योजना से वुल्फस्पीड की मौजूदा SiC सामग्री उत्पादन क्षमता में 10 गुना से अधिक की वृद्धि होगी, जिससे विभिन्न अंतिम बाजारों में SiC सेमीकंडक्टर को अपनाने में तेजी आएगी। फरवरी 2023 में, वोल्फस्पीड ने जर्मनी के सारलैंड में एक अत्यधिक स्वचालित, अत्याधुनिक 200 मिमी SiC विनिर्माण संयंत्र बनाने की योजना की घोषणा की। यह यूरोप में वुल्फस्पीड का पहला कारखाना होगा जो ऑटोमोटिव, औद्योगिक और ऊर्जा सहित अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला की बढ़ती मांग को पूरा करेगा। न्यूयॉर्क के मोहॉक वैली में वुल्फस्पीड का 200 मिमी SiC उपकरण संयंत्र, वुल्फस्पीड की 6.5 बिलियन डॉलर की क्षमता विस्तार योजना का एक महत्वपूर्ण हिस्सा बन जाएगा, साथ ही उत्तरी कैरोलिना में इसका SiC सामग्री संयंत्र और जर्मनी के सारलैंड में नियोजित 200 मिमी SiC विनिर्माण संयंत्र भी इसमें शामिल होगा।