Quá trình tạo cơ sở Wolfspeed

Vào tháng 4 năm 2022, nhà máy sản xuất thiết bị SiC 200mm của Wolfspeed tại Mohawk Valley, New York, Hoa Kỳ, sử dụng công nghệ tiên tiến đã chính thức khánh thành, sẽ góp phần thúc đẩy mạnh mẽ quá trình chuyển đổi của nhiều ngành công nghiệp từ sản phẩm nền Si sang chất bán dẫn nền SiC. Nhà máy thiết bị Mohawk Valley đã bắt đầu vận chuyển hàng loạt MOSFET SiC đến khách hàng Trung Quốc với lô sản phẩm đầu tiên có mã hiệu C3M0040120K. Vào tháng 9 năm 2022, Wolfspeed thông báo rằng họ sẽ xây dựng một nhà máy sản xuất vật liệu SiC mới (Trung tâm sản xuất Silicon Carbide John Palmour) tại Quận Chatham, Bắc Carolina, Hoa Kỳ, sử dụng công nghệ tiên tiến. Nhà máy này chủ yếu sản xuất các tấm wafer SiC 200mm, được sử dụng để cung cấp cho nhà máy thiết bị Mohawk Valley của Wolfspeed. Giai đoạn xây dựng đầu tiên của nhà máy dự kiến ​​sẽ hoàn thành vào năm 2024 và công ty cũng sẽ mở rộng thêm công suất dựa trên nhu cầu. Kế hoạch đầu tư này sẽ tăng năng lực sản xuất vật liệu SiC hiện tại của Wolfspeed lên hơn 10 lần, đẩy nhanh việc áp dụng chất bán dẫn SiC vào nhiều thị trường cuối. Vào tháng 2 năm 2023, Wolfspeed công bố kế hoạch xây dựng một nhà máy sản xuất SiC 200mm hiện đại, tự động hóa cao tại Saarland, Đức. Đây sẽ là nhà máy đầu tiên của Wolfspeed tại Châu Âu đáp ứng nhu cầu ngày càng tăng cho nhiều ứng dụng khác nhau bao gồm ô tô, công nghiệp và năng lượng. Nhà máy sản xuất thiết bị SiC 200mm của Wolfspeed tại Mohawk Valley, New York, sẽ trở thành một phần quan trọng trong kế hoạch mở rộng công suất trị giá 6,5 tỷ đô la của Wolfspeed, cùng với nhà máy sản xuất vật liệu SiC ở Bắc Carolina và nhà máy sản xuất SiC 200mm theo kế hoạch tại Saarland, Đức.