Purus semiconductor productum perficientur

1200V SiC MOSFET suggestus technologiae maturae est, et producta variarum specificationum missarum productarum et AEC-Q101 automotivo-gradus certificationem et 960V-H3TRB fidem verificationis induxit Societas industriarum repositarum 1200V 14mΩ SiC MOSFET cum infimis resistentiae in Sinis imposuit, quae per Tier 1 fabricatores comprobata est et eius effectus comparabilis cum machinis amet internationalis principalis coegi. Mense Martio 2022, Qingchun Semiconductor in Ningbo Qianwan Nova Area introductus est, et praetorium suum et centrum R&D in nova area aedificavit. Ferunt praetorium Qingchun Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd. operit aream 4.600 metra quadrata et habet quattuor suggesta experimentalia majora: primum tabulatum est ad fabricam spectandi suggestum, laganum probatio et senescit tribunal; Tota area meditata laboratorii super 2.500 metris quadratis et instrumentis mundi praecipuis instructum parametris probationis et firmitatis apparatu.