Rendimiento producto semiconductor puro rehegua

Ko tecnología plataforma 1200V SiC MOSFET ha'e madura, ha umi producto opáichagua especificación ojeproduci en masa ha ohasa certificación grado automotriz AEC-Q101 ha verificación de confiabilidad 960V-H3TRB empresa omoherakuã peteîha producto serie SiC MOSFET impulsión producida en masa nacional, ha opavave indicador de rendimiento oguahë térã ohasa hi'aguïva umi producto internacional ojoajúva un millón de chips SiC MOSFET ha oservi heta cliente principal industria fotovoltaica ha almacenamiento energía-pe Ko empresa omoherakuã 1200V 14mΩ SiC MOSFET orekóva resistencia on-resistencia imbovyvéva China-pe, péva verificada fabricante Tier 1 ha rendimiento oñembojojáva chips internacional principal de conducción. Marzo ary 2022-pe, oñemboheraguapy Qingchun Semiconductor oñemohenda haguã Ningbo Qianwan Área Pyahu-pe, ha omopu'ã hóga guasu ha centro de I+D upe área pyahúpe. Ojekuaa sede Qingchun Semiconductor (Ningbo) Co., Ltd. oreko peteî área 4.600 metros cuadrados ha oreko irundy plataforma experimental kakuaa: primer piso ha'e plataforma de prueba de rendimiento dispositivo, prueba de obleas ha plataforma envejecimiento; Pe área total planificada laboratorio-pe ohasa 2.500 metro cuadrado ha oreko equipo de prueba ha confiabilidad dispositivo de potencia mundial-pe, inversión total plataforma-pe ha'e haimete 100 millones de yuanes, ha oreko capacidad oipytyvõva prueba ha cribado haimete 10 millones de dispositivos carburo de silicio por mes.