Apro Semicon完成50億韓元的A輪投資，啟動500億韓元的B輪融資

Apro Semicon公司近日宣布，已成功開發出8吋1200V矽基氮化鎵（GaN-on-Si）外延片，並計畫於今年底開始大規模生產。該產品具有高達1600V的擊穿電壓，能夠實現高效的功率轉換，且外延片的品質和厚度均勻性已達99%。繼去年成功獲得50億韓元的A輪投資後，Apro Semicon目前正在尋求500億韓元的B輪融資，以加速其GaN外延片的大規模生產。部分融資將用於引進新的MOCVD設備，進一步投資其位於龜尾的GaN外延片量產工廠。