아프로세미콘, 시리즈A 투자 50억 원 완료, 시리즈B 펀딩 500억 원 규모 출시

아프로세미콘은 최근 8인치 1200V 실리콘 기반 질화갈륨(GaN-on-Si) 에피택셜 웨이퍼를 성공적으로 개발했으며, 올해 말까지 양산을 시작할 계획이라고 밝혔습니다. 본 제품은 최대 1600V의 파괴전압을 가지고 있어 효율적인 전력 변환이 가능하며, 에피택셜 웨이퍼의 품질과 두께 균일성은 99%에 달합니다. 아프로세미콘은 작년에 50억원 규모의 시리즈 A 투자를 성공적으로 마친 데 이어, 현재 GaN 에피택셜 웨이퍼 양산을 가속화하기 위해 시리즈 B 자금 조달에서 500억원을 유치하고자 노력하고 있습니다. 자금의 일부는 구미에 있는 GaN 에피택셜 웨이퍼 양산 공장에 대한 추가 투자를 위해 새로운 MOCVD 장비를 도입하는 데 사용될 예정입니다.