Apro Semicon 5 тэрбум вонны А цувралын хөрөнгө оруулалтыг дуусгаж, 50 тэрбум вонны В цувралын санхүүжилтийг эхлүүллээ.

Apro Semicon компани саяхан 8 инчийн 1200 В цахиурт суурилсан галлиум нитрид (GaN-on-Si) эпитаксиаль хавтанг амжилттай бүтээж, энэ оны эцэс гэхэд бөөнөөр нь үйлдвэрлэж эхлэхээр төлөвлөж байгаагаа зарлалаа. Бүтээгдэхүүн нь 1600В хүртэлх эвдрэлийн хүчдэлтэй бөгөөд эрчим хүчийг үр ашигтай хувиргах боломжийг олгодог бөгөөд эпитаксиаль хавтангийн чанар, зузаан жигд байдал 99% хүрсэн. Өнгөрсөн жил А цувралын 5 тэрбум воны амжилттай хөрөнгө оруулалт хийснийхээ дараа Apro Semicon нь одоогоор GaN эпитаксиаль өрөмийнхөө масс үйлдвэрлэлийг хурдасгахын тулд B цувралын санхүүжилтээр 50 тэрбум воны санхүүжилт хайж байна. Санхүүжилтийн нэг хэсгийг Гуми хотод байрлах GaN эпитаксиаль вафель масс үйлдвэрлэх үйлдвэрт цаашид хөрөнгө оруулах зорилгоор MOCVD-ийн шинэ тоног төхөөрөмжийг нэвтрүүлэхэд зарцуулна.