Apro Semicon réalise un investissement de série A de 5 milliards de KRW et lance un financement de série B de 50 milliards de KRW

Apro Semicon a récemment annoncé avoir développé avec succès des plaquettes épitaxiales de nitrure de gallium (GaN-on-Si) à base de silicium de 8 pouces et 1 200 V et prévoit de démarrer la production en série d'ici la fin de cette année. Le produit a une tension de claquage allant jusqu'à 1600 V, permettant une conversion de puissance efficace, et la qualité et l'uniformité de l'épaisseur de la plaquette épitaxiale ont atteint 99 %. Après son investissement réussi de série A de 5 milliards de wons l'année dernière, Apro Semicon recherche actuellement un financement de série B de 50 milliards de wons pour accélérer la production de masse de ses plaquettes épitaxiales GaN. Une partie du financement sera utilisée pour introduire de nouveaux équipements MOCVD afin d'investir davantage dans son usine de production de masse de plaquettes épitaxiales GaN à Gumi.