Apro Semicon schließt 5 Milliarden KRW Serie-A-Investition ab und startet 50 Milliarden KRW Serie-B-Finanzierung

Apro Semicon gab vor Kurzem bekannt, dass das Unternehmen erfolgreich 8-Zoll-Epitaxiewafer aus siliziumbasiertem Galliumnitrid (GaN-on-Si) mit 1200 V entwickelt hat und plant, bis Ende dieses Jahres mit der Massenproduktion zu beginnen. Das Produkt verfügt über eine Durchschlagsspannung von bis zu 1600 V, was eine effiziente Energieumwandlung ermöglicht, und die Gleichmäßigkeit von Qualität und Dicke des epitaktischen Wafers hat 99 % erreicht. Nach seiner erfolgreichen Serie-A-Investition in Höhe von 5 Milliarden Won im letzten Jahr strebt Apro Semicon derzeit eine Serie-B-Finanzierung in Höhe von 50 Milliarden Won an, um die Massenproduktion seiner GaN-Epitaxie-Wafer zu beschleunigen. Ein Teil der Finanzierung wird für die Einführung neuer MOCVD-Geräte verwendet, um weiter in die Massenproduktionsanlage für GaN-Epitaxie-Wafer in Gumi zu investieren.