Az Apro Semicon 5 milliárd KRW A sorozatú befektetést hajt végre, és 50 milliárd KRW B sorozatú finanszírozást indít

Az Apro Semicon a közelmúltban bejelentette, hogy sikeresen kifejlesztett 8 hüvelykes, 1200 V-os szilícium-alapú gallium-nitrid (GaN-on-Si) epitaxiális lapkákat, és a sorozatgyártást ez év végére tervezi. A termék akár 1600 V áttörési feszültséggel rendelkezik, amely lehetővé teszi a hatékony áramátalakítást, az epitaxiális lapka minősége és vastagsága egyenletessége elérte a 99%-ot. A tavalyi sikeres, 5 milliárd wonos A sorozatú beruházást követően az Apro Semicon jelenleg 50 milliárd wont keres a B sorozatú finanszírozásban, hogy felgyorsítsa GaN epitaxiális lapjai tömeggyártását. A finanszírozás egy részét új MOCVD-berendezések bevezetésére fordítják, hogy további beruházásokat hajtsanak végre a Gumiban található GaN epitaxiális lapka tömeggyártó üzemében.