Apro Semicon завершує інвестиції в 5 мільярдів вон серії A та починає фінансування в розмірі 50 мільярдів вон серії B

Apro Semicon нещодавно оголосила, що успішно розробила 8-дюймові епітаксіальні пластини на основі нітриду галію (GaN-on-Si) на 1200 В і планує розпочати масове виробництво до кінця цього року. Продукт має напругу пробою до 1600 В, що забезпечує ефективне перетворення електроенергії, а якість і однорідність товщини епітаксійної пластини досягли 99%. Після успішної інвестиції серії A у розмірі 5 мільярдів вон минулого року, Apro Semicon зараз шукає 50 мільярдів вон у фінансуванні серії B для прискорення масового виробництва своїх епітаксіальних пластин GaN. Частину фінансування буде використано для впровадження нового обладнання MOCVD для подальших інвестицій у завод масового виробництва епітаксійних пластин GaN у Гумі.