Apro Semicon Menyelesaikan Investasi Seri A Sebesar 5 Miliar KRW dan Meluncurkan Pendanaan Seri B Sebesar 50 Miliar KRW

Apro Semicon baru-baru ini mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengembangkan wafer epitaksial berbasis silikon galium nitrida (GaN-on-Si) berukuran 8 inci 1200V dan berencana untuk memulai produksi massal pada akhir tahun ini. Produk ini memiliki tegangan tembus hingga 1600V, memungkinkan konversi daya yang efisien, dan kualitas serta keseragaman ketebalan wafer epitaksial telah mencapai 99%. Setelah sukses meraup investasi Seri A senilai 5 miliar won tahun lalu, Apro Semicon kini tengah mencari pendanaan Seri B senilai 50 miliar won untuk mempercepat produksi massal wafer epitaksial GaN-nya. Sebagian pembiayaan akan digunakan untuk memperkenalkan peralatan MOCVD baru guna berinvestasi lebih lanjut pada pabrik produksi massal wafer epitaksial GaN di Gumi.