Apro Semicon Melengkapkan Pelaburan 5 Bilion KRW Siri A dan Melancarkan Pembiayaan 50 Bilion KRW Siri B

Apro Semicon baru-baru ini mengumumkan bahawa ia telah berjaya membangunkan wafer epitaxial galium nitrida (GaN-on-Si) berasaskan silikon 8-inci 1200V dan merancang untuk memulakan pengeluaran besar-besaran menjelang akhir tahun ini. Produk ini mempunyai voltan pecahan sehingga 1600V, membolehkan penukaran kuasa yang cekap, dan kualiti dan keseragaman ketebalan wafer epitaxial telah mencapai 99%. Berikutan kejayaan pelaburan Siri A sebanyak 5 bilion won tahun lepas, Apro Semicon kini sedang mencari 50 bilion won dalam pembiayaan Siri B untuk mempercepatkan pengeluaran besar-besaran wafer epitaxial GaNnya. Sebahagian daripada pembiayaan akan digunakan untuk memperkenalkan peralatan MOCVD baharu untuk terus melabur dalam kilang pengeluaran besar-besaran wafer epitaxial GaN di Gumi.