Apro Semicon បញ្ចប់ការវិនិយោគ 5 ពាន់លាន KRW Series A និងចាប់ផ្តើមការផ្តល់មូលនិធិ 50 ពាន់លាន KRW Series B

Apro Semicon ថ្មីៗនេះបានប្រកាសថាខ្លួនបានបង្កើតដោយជោគជ័យនូវ 8-inch 1200V silicon-based silicon-based wafers (GaN-on-Si) epitaxial wafers ហើយគ្រោងនឹងចាប់ផ្តើមផលិតកម្មដ៏ធំនៅចុងឆ្នាំនេះ។ ផលិតផលនេះមានវ៉ុលបំបែករហូតដល់ 1600V ដែលអនុញ្ញាតឱ្យបំប្លែងថាមពលប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព ហើយគុណភាព និងកម្រាស់ឯកសណ្ឋាននៃ wafer epitaxial បានឈានដល់ 99% ។ បន្ទាប់ពីការវិនិយោគស៊េរី A ដែលទទួលបានជោគជ័យរបស់ខ្លួនចំនួន 5 ពាន់លានវ៉ុនកាលពីឆ្នាំមុន Apro Semicon បច្ចុប្បន្នកំពុងស្វែងរក 50 ពាន់លានវ៉ុននៅក្នុងការផ្តល់ហិរញ្ញប្បទានស៊េរី B ដើម្បីពន្លឿនការផលិតដ៏ធំនៃ wafers GaN epitaxial របស់ខ្លួន។ ផ្នែកមួយនៃការផ្តល់ហិរញ្ញប្បទាននឹងត្រូវបានប្រើដើម្បីណែនាំឧបករណ៍ MOCVD ថ្មីដើម្បីវិនិយោគបន្ថែមទៀតនៅក្នុងរោងចក្រផលិតដ៏ធំ GaN epitaxial wafer របស់ខ្លួននៅ Gumi ។