Το Qinghe Wafer επιτυγχάνει προετοιμασία υποστρώματος συγκόλλησης SiC 8 ιντσών

Η κινεζική Qinghe Wafer Co., Ltd. ανακοίνωσε τον Απρίλιο ότι είχε κάνει επιτυχώς μια σημαντική ανακάλυψη στην προετοιμασία υποστρωμάτων συγκόλλησης SiC 8 ιντσών. Επιπλέον, η Qinghe Jingyuan επένδυσε επίσης 990 εκατομμύρια γιουάν για την κατασκευή της πρώτης γραμμής παραγωγής σύνθετου υποστρώματος SiC στη ζώνη υψηλής τεχνολογίας Tianjin.