Qinghe Wafer oppnår 8-tommers SiC-bindende underlagsforberedelse

48
Kinas Qinghe Wafer Co., Ltd. kunngjorde i april at de hadde gjort et vellykket gjennombrudd i utarbeidelsen av 8-tommers SiC-bindingssubstrater. I tillegg investerte Qinghe Jingyuan også 990 millioner yuan for å bygge landets første kompositt SiC-substratproduksjonslinje i Tianjin Hi-tech Zone. Produksjonslinjen ble offisielt satt i drift i mai i fjor med en planlagt produksjonskapasitet på 30 000 stykker per år.