Qinghe Wafer აღწევს 8 დიუმიანი SiC შემაკავშირებელ სუბსტრატის მომზადებას

ჩინეთის Qinghe Wafer Co., Ltd.-მ აპრილში გამოაცხადა, რომ წარმატებით მიაღწია გარღვევას 8 დიუმიანი SiC შემაერთებელი სუბსტრატების მომზადებაში. გარდა ამისა, Qinghe Jingyuan-მა ასევე ჩადო 990 მილიონი იუანი ქვეყნის პირველი კომპოზიციური SiC სუბსტრატის წარმოების ხაზის Tianjin-ის მაღალტექნოლოგიურ ზონაში. საწარმოო ხაზი ოფიციალურად ამოქმედდა გასული წლის მაისში, რომლის საწარმოო სიმძლავრე იყო 30,000 ცალი წელიწადში.