Qinghe Wafer bereik 8-duim SiC bindende substraat voorbereiding

China se Qinghe Wafer Co., Ltd. het in April aangekondig dat hy suksesvol 'n deurbraak gemaak het in die voorbereiding van 8-duim SiC-bindingssubstrate. Daarbenewens het Qinghe Jingyuan ook 990 miljoen yuan belê om die land se eerste saamgestelde SiC-substraatproduksielyn in Tianjin Hi-tech Zone te bou. Die produksielyn is amptelik in Mei verlede jaar in werking gestel met 'n beplande produksievermoë van 30 000 stukke per jaar.