CREE bringt leistungsstarke SiC-MOSFET-Module auf den Markt

CREE hat Hochleistungs-SiC-MOSFET-Module mit 1200 V/800 A und 1700 V/300 A auf den Markt gebracht. Mit der steigenden Marktnachfrage und der Verbesserung des Prozessniveaus wird erwartet, dass der Preis für Hochleistungs-SiC-Module schrittweise sinken wird.