CREE lance des modules SiC-MOSFET haute puissance

CREE a lancé des modules SiC-MOSFET haute puissance de 1200V/800A et 1700V/300A. À mesure que la demande du marché augmente et que les niveaux de processus s’améliorent, le prix des modules SiC haute puissance devrait diminuer progressivement.