CREE lanza módulos SiC-MOSFET de alta potencia

CREE ha lanzado módulos SiC-MOSFET de alta potencia de 1200 V/800 A y 1700 V/300 A. A medida que la demanda del mercado se expande y los niveles de proceso mejoran, se espera que el precio de los módulos de SiC de alta potencia disminuya gradualmente.