CREE lancia moduli SiC-MOSFET ad alta potenza

CREE ha lanciato moduli SiC-MOSFET ad alta potenza da 1200 V/800 A e 1700 V/300 A. Con l'aumento della domanda del mercato e il miglioramento dei livelli di processo, si prevede che il prezzo dei moduli SiC ad alta potenza diminuirà gradualmente.