CREE lansira visokozmogljive module SiC-MOSFET

CREE je lansiral visokozmogljive SiC-MOSFET module 1200V/800A in 1700V/300A. S povečanjem povpraševanja na trgu in izboljšanjem ravni procesov se pričakuje, da se bo cena visoko zmogljivih SiC modulov postopoma zniževala.