CREE пуска високомощни SiC-MOSFET модули

CREE пусна високомощни SiC-MOSFET модули от 1200V/800A и 1700V/300A. Тъй като пазарното търсене се разширява и нивата на процесите се подобряват, цената на високомощните SiC модули се очаква постепенно да намалява.