Hebei Tongguang Semiconductor ເປີດຕົວໂຄງການຜະລິດ 200,000 8 ນິ້ວ silicon carbide substrates ຜລຶກດຽວຕໍ່ປີ

ວັນ​ທີ 11 ກຸມພາ​ນີ້, ບໍລິສັດ​ເຮີ​ເປີຍ​ຕົງກວາງ​ເຊ​ມິ​ຄອນ​ດັກ​ເຕີ​ຈຳກັດ​ໄດ້​ຈັດ​ພິທີ​ວາງສະ​ແດງ​ສູນ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​ວິ​ສາ​ຫະກິດ​ແຫ່ງ​ຊາດ ​ແລະ​ເປີດ​ໂຄງການ​ຜະລິດ​ທາດ​ຊິ​ລິ​ຄອນ​ຄາ​ໄບ​ຊັ້ນ​ດຽວ​ຂະໜາດ 8 ນິ້ວ 200,000 ໜ່ວຍ​ຕໍ່​ປີ​ຢູ່​ເຂດ​ພັດທະນາ​ອຸດສາຫະກຳ​ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ​ສູງ​ແຫ່ງ​ຊາດ​ບ່າ​ດິງ. ​ໂຄງການ​ດັ່ງກ່າວ​ຄາດ​ວ່າ​ຈະ​ມີ​ຍອດ​ມູນ​ຄ່າ​ການ​ລົງທຶນ 882 ລ້ານ​ຢວນ ​ແລະ ຄາດ​ວ່າ​ຈະ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ຜະລິດ​ຢ່າງ​ເຕັມ​ທີ່​ໃນ​ປີ 2027. ທ່ານ Zheng Qingchao, ປະທານບໍລິສັດ Tongguang Semiconductor, ໃຫ້ຮູ້ວ່າ, ນີ້ຈະມີຄວາມໝາຍອັນໃຫຍ່ຫຼວງຕໍ່ການປັບປຸງຄວາມເປັນເອກະລາດດ້ານເຕັກໂນໂລຊີຫຼັກ, ລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກຳຊັ້ນສູງ ແລະ ຂະໜາດຂອງກຸ່ມອຸດສາຫະກຳ semiconductors ລຸ້ນທີ 3 ຂອງ Baoding.