Hebei Tongguang Semiconductor meluncurkan proyek untuk memproduksi 200.000 substrat kristal tunggal silikon karbida 8 inci per tahun

Pada tanggal 11 Februari, Hebei Tongguang Semiconductor Co., Ltd. mengadakan upacara untuk meresmikan Pusat Teknologi Perusahaan Nasional dan meluncurkan proyek untuk memproduksi 200.000 substrat kristal tunggal silikon karbida berukuran 8 inci setiap tahun di Zona Pengembangan Industri Teknologi Tinggi Nasional Baoding. Proyek ini diperkirakan menelan total investasi sebesar 882 juta yuan dan diharapkan dapat berproduksi penuh pada tahun 2027. Zheng Qingchao, ketua Tongguang Semiconductor, mengatakan bahwa ini akan sangat penting untuk meningkatkan kemandirian teknologi inti, rantai industri kelas atas, dan skala klaster industri semikonduktor generasi ketiga Baoding.