三星電子計劃在其平澤P4工廠引進1c nm DRAM處理設備

據報道，三星電子正在準備在其位於平澤的P4工廠引入DRAM處理設備，以建立1c nm DRAM記憶體生產線。預計該生產線將於明年6月開始運營，目的是提高HBM4內存的能源效率競爭力。平澤P4是一個綜合性的半導體生產中心，分為四個階段。在早期的規劃階段，第一階段是NAND快閃記憶體生產，第二階段是邏輯代工，而第三階段和第四階段將專注於DRAM記憶體的生產。目前，三星已經在P4的第一階段中引入了DRAM生產設備，但暫停了第二階段的建造。