Samsung Electronics plant die Einführung von 1c-nm-DRAM-Verarbeitungsanlagen in seinem Werk Pyeongtaek P4

Berichten zufolge bereitet Samsung Electronics die Einführung von DRAM-Verarbeitungsanlagen in seinem P4-Werk in Pyeongtaek vor, um eine 1c-nm-DRAM-Speicherproduktionslinie aufzubauen. Die Produktionslinie soll im Juni nächsten Jahres den Betrieb aufnehmen. Ziel ist es, die Energieeffizienz des HBM4-Speichers zu verbessern. Pyeongtaek P4 ist ein integriertes Halbleiterproduktionszentrum, das in vier Phasen unterteilt ist. In den frühen Planungsphasen befasst sich Phase eins mit der NAND-Flash-Produktion, Phase zwei mit der Logikgießerei, während sich die Phasen drei und vier auf die DRAM-Speicherproduktion konzentrieren. Derzeit hat Samsung in der ersten Phase von P4 DRAM-Produktionsanlagen eingeführt, den Bau der zweiten Phase jedoch ausgesetzt.