Samsung Electronics is van plan om 1c nm DRAM-verwerkingsapparatuur te introduceren in zijn P4-fabriek in Pyeongtaek

Samsung Electronics bereidt naar verluidt de introductie van DRAM-verwerkingsapparatuur voor in zijn P4-fabriek in Pyeongtaek om een ​​productielijn voor 1c nm DRAM-geheugen op te zetten. De productielijn zal naar verwachting in juni volgend jaar in bedrijf gaan, met als doel de energie-efficiëntie van HBM4-geheugen te verbeteren. Pyeongtaek P4 is een geïntegreerd halfgeleiderproductiecentrum, verdeeld in vier fasen. In de vroege planningsfasen bestaat fase één uit de productie van NAND-flashgeheugen, fase twee uit de productie van logic-geheugens en fase drie en vier richten zich op de productie van DRAM-geheugen. Samsung heeft momenteel DRAM-productieapparatuur geïntroduceerd in de eerste fase van P4, maar heeft de bouw van de tweede fase opgeschort.