Samsung Electronics ætlar að kynna 1c nm DRAM vinnslubúnað í Pyeongtaek P4 verksmiðjunni sinni

Samsung Electronics er að sögn að undirbúa að kynna DRAM vinnslubúnað í P4 verksmiðju sinni í Pyeongtaek til að koma á fót 1c nm DRAM minni framleiðslulínu. Gert er ráð fyrir að framleiðslulínan taki til starfa í júní á næsta ári með það að markmiði að bæta orkunýtni samkeppnishæfni HBM4 minnis. Pyeongtaek P4 er samþætt hálfleiðara framleiðslustöð skipt í fjóra áfanga. Á fyrstu áætlunarstigum er áfangi eitt NAND glampi framleiðsla, áfangi tvö er rökfræði steypa, en áfangi þrjú og fjögur munu einbeita sér að DRAM minni framleiðslu. Eins og er hefur Samsung kynnt DRAM framleiðslutæki í fyrsta áfanga P4, en hefur stöðvað byggingu seinni áfanga.