Samsung Electronics планирует внедрить оборудование для обработки 1c нм DRAM на своем заводе P4 в Пхёнтхэке

Сообщается, что Samsung Electronics готовится внедрить оборудование для обработки DRAM на своем заводе P4 в Пхёнтхэке для создания линии по производству памяти DRAM с проектной точностью 1c нм. Ожидается, что производственная линия будет запущена в эксплуатацию в июне следующего года с целью повышения энергоэффективности и конкурентоспособности памяти HBM4. Pyeongtaek P4 — это интегрированный центр производства полупроводников, разделенный на четыре этапа. На ранних этапах планирования первый этап будет посвящен производству флэш-памяти NAND, второй этап — производству логики, а третий и четвертый этапы будут сосредоточены на производстве памяти DRAM. В настоящее время Samsung внедрила оборудование для производства DRAM на первом этапе P4, но приостановила строительство второго этапа.