Samsung Electronics, Pyeongtaek P4 tesisinde 1c nm DRAM işleme ekipmanını tanıtmayı planlıyor

Samsung Electronics'in, Pyeongtaek'teki P4 tesisinde 1c nm DRAM bellek üretim hattı kurmak amacıyla DRAM işleme ekipmanları yerleştirmeye hazırlandığı bildiriliyor. HBM4 belleğin enerji verimliliği rekabet gücünün artırılması amacıyla üretim hattının gelecek yılın haziran ayında faaliyete geçmesi bekleniyor. Pyeongtaek P4, dört faza ayrılmış entegre bir yarı iletken üretim merkezidir. Planlamanın ilk aşamalarında birinci fazda NAND flash üretimi, ikinci fazda mantık dökümhanesi, üçüncü ve dördüncü fazlarda ise DRAM bellek üretimine odaklanılacak. Samsung şu anda P4'ün ilk aşamasında DRAM üretim ekipmanlarını tanıttı ancak ikinci aşamanın yapımını askıya aldı.