Samsung Electronics o'zining Pyeongtaek P4 zavodida 1c nm DRAMni qayta ishlash uskunasini joriy qilishni rejalashtirmoqda.

Xabar qilinishicha, Samsung Electronics kompaniyasi Pxentekdagi P4 zavodida 1c nm DRAM xotira ishlab chiqarish liniyasini tashkil etish uchun DRAMni qayta ishlash uskunasini joriy etishga tayyorlanmoqda. HBM4 xotirasining energiya samaradorligi bo'yicha raqobatbardoshligini oshirish maqsadida ishlab chiqarish liniyasi kelgusi yilning iyun oyida ishga tushirilishi kutilmoqda. Pyeongtaek P4 to'rt bosqichga bo'lingan integratsiyalangan yarimo'tkazgich ishlab chiqarish markazidir. Rejalashtirishning dastlabki bosqichlarida birinchi bosqich - NAND flesh ishlab chiqarish, ikkinchi bosqich - mantiqiy quyish, uchinchi va to'rtinchi bosqichlar esa DRAM xotirasini ishlab chiqarishga qaratilgan. Hozirda Samsung kompaniyasi P4 ning birinchi bosqichida DRAM ishlab chiqarish uskunasini taqdim etdi, biroq ikkinchi bosqich qurilishini to'xtatdi.