Samsung Electronics planuje wprowadzenie urządzeń do przetwarzania pamięci DRAM 1c nm w swojej fabryce P4 w Pyeongtaek

Według doniesień firma Samsung Electronics przygotowuje się do wprowadzenia urządzeń do przetwarzania pamięci DRAM w swojej fabryce P4 w Pyeongtaek, co ma doprowadzić do uruchomienia linii produkcyjnej pamięci DRAM 1c nm. Oczekuje się, że linia produkcyjna rozpocznie działalność w czerwcu przyszłego roku. Celem jest poprawa konkurencyjności pamięci HBM4 pod względem efektywności energetycznej. Pyeongtaek P4 to zintegrowane centrum produkcji półprzewodników podzielone na cztery fazy. Na wczesnym etapie planowania faza pierwsza obejmuje produkcję pamięci flash NAND, faza druga obejmuje produkcję układów logicznych, natomiast fazy trzecia i czwarta będą koncentrować się na produkcji pamięci DRAM. Obecnie Samsung uruchomił produkcję pamięci DRAM w pierwszej fazie P4, lecz zawiesił budowę drugiej fazy.