Samsung Electronics plánuje ve svém závodě P4 v Pyeongtaeku představit zařízení pro zpracování 1c nm DRAM

Společnost Samsung Electronics se údajně připravuje na zavedení zařízení pro zpracování DRAM ve svém závodě P4 v Pyeongtaeku, aby založila výrobní linku na paměti DRAM 1c nm. Výrobní linka by měla být uvedena do provozu v červnu příštího roku s cílem zlepšit konkurenceschopnost pamětí HBM4 v oblasti energetické účinnosti. Pyeongtaek P4 je integrované centrum výroby polovodičů rozdělené do čtyř fází. V raných fázích plánování je první fází výroba NAND flash, druhá fáze je slévárna logiky, zatímco třetí a čtvrtá fáze se zaměří na výrobu pamětí DRAM. Aktuálně Samsung představil zařízení na výrobu DRAM v první fázi P4, ale stavbu druhé fáze pozastavil.