Samsung Electronics плануе прадставіць абсталяванне для апрацоўкі 1c nm DRAM на сваім заводзе Pyeongtaek P4

Паведамляецца, што Samsung Electronics рыхтуецца прадставіць абсталяванне для апрацоўкі DRAM на сваім заводзе P4 у Пхёнтхэку для стварэння лініі па вытворчасці памяці DRAM 1c nm. Чакаецца, што вытворчая лінія пачне працаваць у чэрвені наступнага года з мэтай павышэння канкурэнтаздольнасці энергаэфектыўнасці памяці HBM4. Pyeongtaek P4 - гэта інтэграваны цэнтр вытворчасці паўправаднікоў, падзелены на чатыры фазы. На ранніх этапах планавання першая фаза - вытворчасць флэш-памяці NAND, другая - ліцейная логіка, а трэцяя і чацвёртая - вытворчасць памяці DRAM. У цяперашні час Samsung прадставіла абсталяванне для вытворчасці DRAM на першым этапе P4, але прыпыніла будаўніцтва другога этапу.