Samsung Electronics merancang untuk memperkenalkan peralatan pemprosesan DRAM 1c nm di kilang Pyeongtaek P4nya

Samsung Electronics dilaporkan sedang bersedia untuk memperkenalkan peralatan pemprosesan DRAM di kilang P4nya di Pyeongtaek untuk mewujudkan barisan pengeluaran memori DRAM 1c nm. Barisan pengeluaran itu dijangka mula beroperasi pada Jun tahun depan, dengan tujuan untuk meningkatkan daya saing kecekapan tenaga memori HBM4. Pyeongtaek P4 ialah pusat pengeluaran semikonduktor bersepadu yang dibahagikan kepada empat fasa. Pada peringkat perancangan awal, fasa satu ialah pengeluaran denyar NAND, fasa dua ialah fauri logik, manakala fasa tiga dan empat akan menumpukan pada pengeluaran memori DRAM. Pada masa ini, Samsung telah memperkenalkan peralatan pengeluaran DRAM pada fasa pertama P4, tetapi telah menggantung pembinaan fasa kedua.