ក្រុមហ៊ុន Samsung Electronics គ្រោងនឹងណែនាំឧបករណ៍កែច្នៃ 1c nm DRAM នៅរោងចក្រ Pyeongtaek P4 របស់ខ្លួន។

Samsung Electronics ត្រូវបានគេរាយការណ៍ថាកំពុងរៀបចំដើម្បីណែនាំឧបករណ៍ដំណើរការ DRAM នៅរោងចក្រ P4 របស់ខ្លួននៅ Pyeongtaek ដើម្បីបង្កើតខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មអង្គចងចាំ DRAM 1c nm ។ ខ្សែសង្វាក់ផលិតកម្មត្រូវបានគេរំពឹងថានឹងចាប់ផ្តើមដំណើរការនៅខែមិថុនាឆ្នាំក្រោយ ដោយមានគោលបំណងធ្វើឱ្យប្រសើរឡើងនូវការប្រកួតប្រជែងប្រសិទ្ធភាពថាមពលនៃអង្គចងចាំ HBM4 ។ Pyeongtaek P4 គឺជាមជ្ឈមណ្ឌលផលិតកម្ម semiconductor រួមបញ្ចូលគ្នាដែលបែងចែកជាបួនដំណាក់កាល។ នៅក្នុងដំណាក់កាលធ្វើផែនការដំបូង ដំណាក់កាលទី 1 គឺការផលិត NAND flash ដំណាក់កាលទី 2 គឺជាការបង្កើតតក្កវិជ្ជា ចំណែកដំណាក់កាលទី 3 និងទី 4 នឹងផ្តោតលើការផលិតអង្គចងចាំ DRAM ។ បច្ចុប្បន្ននេះ Samsung បានណែនាំឧបករណ៍ផលិត DRAM ក្នុងដំណាក់កាលទីមួយនៃ P4 ប៉ុន្តែបានផ្អាកការសាងសង់ដំណាក់កាលទីពីរ។