Samsung Electronics Pyeongtaek P4 zavodunda 1c nm DRAM emal avadanlığı təqdim etməyi planlaşdırır.

Bildirilir ki, Samsung Electronics 1c nm DRAM yaddaş istehsal xətti yaratmaq üçün Pxentekdəki P4 zavodunda DRAM emal avadanlıqlarını təqdim etməyə hazırlaşır. HBM4 yaddaşının enerji səmərəliliyi üzrə rəqabət qabiliyyətini artırmaq məqsədi ilə istehsal xəttinin gələn ilin iyununda işə başlaması gözlənilir. Pyeongtaek P4 dörd fazaya bölünmüş inteqrasiya olunmuş yarımkeçirici istehsal mərkəzidir. İlkin planlaşdırma mərhələlərində birinci mərhələ NAND flash istehsalı, ikinci mərhələ məntiq tökmə, üçüncü və dördüncü mərhələlər isə DRAM yaddaşının istehsalına yönəldiləcək. Hazırda “Samsung” şirkəti P4-ün birinci mərhələsində DRAM istehsalı avadanlığını təqdim edib, lakin ikinci mərhələnin tikintisini dayandırıb.