Samsung Electronics გეგმავს 1c nm DRAM გადამამუშავებელი მოწყობილობის დანერგვას Pyeongtaek P4 ქარხანაში.

გავრცელებული ინფორმაციით, Samsung Electronics ემზადება DRAM-ის გადამამუშავებელი აღჭურვილობის დანერგვას P4 ქარხანაში პიონგტაეკში, რათა დაამყაროს 1c nm DRAM მეხსიერების წარმოების ხაზი. საწარმოო ხაზი ფუნქციონირებას სავარაუდოდ მომავალი წლის ივნისში დაიწყებს, HBM4 მეხსიერების ენერგოეფექტურობის კონკურენტუნარიანობის ამაღლების მიზნით. Pyeongtaek P4 არის ნახევარგამტარების წარმოების ინტეგრირებული ცენტრი დაყოფილია ოთხ ფაზად. დაგეგმვის ადრეულ ეტაპზე, პირველი ფაზა არის NAND ფლეშ წარმოება, მეორე ფაზა არის ლოგიკური სამსხმელო, ხოლო მესამე და მეოთხე ფაზა ფოკუსირებული იქნება DRAM მეხსიერების წარმოებაზე. ამჟამად სამსუნგმა P4-ის პირველ ფაზაში DRAM-ის წარმოების აღჭურვილობა დანერგა, მეორე ფაზის მშენებლობა კი შეაჩერა.