Samsung Electronics beplan om 1c nm DRAM-verwerkingstoerusting by sy Pyeongtaek P4-aanleg bekend te stel

Samsung Electronics berei glo voor om DRAM-verwerkingstoerusting by sy P4-aanleg in Pyeongtaek bekend te stel om 'n 1c nm DRAM-geheue-produksielyn te vestig. Die produksielyn sal na verwagting in Junie volgende jaar begin werk, met die doel om die energiedoeltreffendheid mededingendheid van HBM4-geheue te verbeter. Pyeongtaek P4 is 'n geïntegreerde halfgeleierproduksiesentrum wat in vier fases verdeel is. In die vroeë beplanningstadiums is fase een NAND-flitsproduksie, fase twee is logiese gietery, terwyl fase drie en vier op DRAM-geheueproduksie sal fokus. Tans het Samsung DRAM-produksietoerusting in die eerste fase van P4 bekendgestel, maar het die konstruksie van die tweede fase opgeskort.