Ruifuxin Technology plant, 1,0 bis 1,5 Milliarden Yuan in den Aufbau eines Industrialisierungsprojekts für SiC-Halbleiter-Leistungsmodule in Automobilqualität zu investieren

Ruifuxin Technology gab am 9. bekannt, dass es mit der Jiangsu Dongtai High-tech Zone ein „Rahmenabkommen über die strategische Zusammenarbeit im Rahmen des Industrialisierungsprojekts für SiC-Halbleiter-Leistungsmodule in Automobilqualität“ unterzeichnet habe. Das Unternehmen wird 1 bis 1,5 Milliarden Yuan in den Aufbau eines zweiten Forschungs- und Entwicklungszentrums und einer industriellen Produktionsbasis investieren, um die Industrialisierung von SiC-Halbleiterleistungsmodulen voranzutreiben. Die anfängliche Startkapitalinvestition in Höhe von 100 Millionen Yuan stammte aus der Pro-A-Finanzierungsrunde von Ruifuxin Technology und der Hauptinvestor war der Collaborative Innovation Fund.