Ruifuxin Technology prévoit d'investir 1 à 1,5 milliard de yuans pour construire un projet d'industrialisation de modules de puissance à semi-conducteurs SiC de qualité automobile

Ruifuxin Technology a annoncé avoir signé le 9 un « Accord-cadre de coopération stratégique sur le projet d'industrialisation de modules de puissance à semi-conducteurs SiC de qualité automobile » avec la zone de haute technologie de Jiangsu Dongtai. La société investira 1 à 1,5 milliard de yuans pour construire un deuxième centre de R&D et une base de production industrielle, dédiés à la promotion de l'industrialisation des modules de puissance à semi-conducteurs SiC. L'investissement initial en capital de démarrage de 100 millions de yuans provient du tour de financement Pro-A de Ruifuxin Technology, et l'investisseur principal était le Collaborative Innovation Fund.