A Ruifuxin Technology planeja investir 1,0-1,5 bilhão de yuans para construir um projeto de industrialização de módulo de energia semicondutor SiC de nível automotivo

A Ruifuxin Technology anunciou que assinou o "Acordo-Quadro de Cooperação Estratégica sobre o Projeto de Industrialização de Módulos de Energia de Semicondutores SiC de Grau Automotivo" com a Zona de Alta Tecnologia de Jiangsu Dongtai no dia 9. A empresa investirá de 1 a 1,5 bilhão de yuans para construir um segundo centro de P&D e base de produção industrial, dedicado a promover a industrialização de módulos de energia de semicondutores de SiC. O investimento inicial de capital inicial de 100 milhões de yuans veio da rodada de financiamento Pro-A da Ruifuxin Technology, e o principal investidor foi o Collaborative Innovation Fund.