Ruifuxin Technology intenționează să investească 1,0-1,5 miliarde de yuani pentru a construi un proiect de industrializare a modulului de putere cu semiconductor SiC de calitate auto

Ruifuxin Technology a anunțat că a semnat „Acordul-cadru de cooperare strategică privind proiectul de industrializare a modulelor de putere cu semiconductor SiC de calitate auto” cu zona de înaltă tehnologie Jiangsu Dongtai pe data de 9. Compania va investi 1-1,5 miliarde de yuani pentru a construi un al doilea centru de cercetare și dezvoltare și o bază de producție industrială, dedicată promovării industrializării modulelor de putere cu semiconductori SiC. Investiția inițială de capital de pornire de 100 de milioane de yuani a provenit din runda de finanțare Pro-A a Ruifuxin Technology, iar investitorul principal a fost Fondul de inovare colaborativă.