Руифукин Тецхнологи планира да уложи 1,0-1,5 милијарди јуана у изградњу пројекта индустријализације СиЦ полупроводничког модула за напајање у аутомобилској индустрији

Руифукин Тецхнологи је објавила да је 9. потписала „Оквирни споразум о стратешкој сарадњи на пројекту индустријализације полупроводничког енергетског модула аутомобилске класе“ са зоном високе технологије Јиангсу Донгтаи. Компанија ће уложити 1-1,5 милијарди јуана у изградњу другог центра за истраживање и развој и базе индустријске производње, посвећене промовисању индустријализације СиЦ полупроводничких енергетских модула. Иницијална почетна капитална инвестиција од 100 милиона јуана дошла је из Про-А рунде финансирања компаније Руифукин Тецхнологи, а водећи инвеститор је био Фонд за сарадњу и иновације.