Ruifuxin Technology планує інвестувати 1,0-1,5 мільярда юанів у проект індустріалізації силового модуля напівпровідника SiC для автомобілів

Компанія Ruifuxin Technology оголосила, що 9 числа підписала «Рамкову угоду про стратегічну співпрацю щодо проекту індустріалізації силових модулів напівпровідників SiC для автомобілів» із високотехнологічною зоною Цзянсу Дунтай. Компанія інвестує 1-1,5 мільярда юанів у будівництво другого науково-дослідного центру та промислової виробничої бази, спрямованої на сприяння індустріалізації напівпровідникових силових модулів SiC. Початковий стартовий капітал у розмірі 100 мільйонів юанів надійшов за рахунок фінансування Pro-A від Ruifuxin Technology, а головним інвестором був Collaborative Innovation Fund.