„Ruifuxin Technology“ planuoja investuoti 1,0–1,5 milijardo juanių, kad sukurtų automobiliams skirtą SiC puslaidininkių galios modulio industrializacijos projektą

„Ruifuxin Technology“ paskelbė, kad 9 d. ji pasirašė „Strateginio bendradarbiavimo pagrindų susitarimą dėl automobilių klasės SiC puslaidininkių galios modulio industrializacijos projekto“ su Jiangsu Dongtai aukštųjų technologijų zona. Bendrovė investuos 1–1,5 milijardo juanių, kad sukurtų antrąjį MTEP centrą ir pramoninės gamybos bazę, skirtą SiC puslaidininkinių galios modulių industrializacijai skatinti. Pradinė 100 milijonų juanių pradinė kapitalo investicija buvo gauta iš Ruifuxin Technology Pro-A finansavimo etapo, o pagrindinis investuotojas buvo Bendradarbiavimo inovacijų fondas.