삼성은 2025년 중반에 가동될 예정인 한국 화성에 첫 번째 High-NA EUV를 설치할 계획입니다.

삼성은 2024년 4분기부터 2025년 1분기까지 한국 화성공원에 최초의 High-NA EUV 설치를 시작할 예정이라고 합니다. 2025년 중반에 도입될 예정이며, 먼저 2nm 이하의 로직 공정과 첨단 DRAM 칩 공정을 개발하는 데 사용될 예정입니다. 삼성은 또한 Lasertec, JSR, Tokyo Electron, Synopsys와 협력하여 High-NA EUV 생태계를 구축할 계획입니다.